变流器差模EMI的建模研究
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    通过将功率MOSFET开关电压波形等效成干扰电压源,再考虑电感器分布电容建立差模干扰回路,从而提出了建立变流器差模干扰的模型电路的方法。在此基础上,分析了干扰源和干扰回路阻抗的频域特性。并考虑实际测试时LISN的影响,得到了干扰测试端的频域特性。对电感器不同寄生电容,干扰源特性等给差模干扰带来的影响进行了分析,得到了其频谱特性。最后,用一个实际的BOOST电路作为对象,比较了模型仿真和测试结果,证明了模型建立的有效性。

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引用本文

袁义生; 闫勋.变流器差模EMI的建模研究[J].华东交通大学学报,2012,29(3):88-91.
.[J]. JOURNAL OF EAST CHINA JIAOTONG UNIVERSTTY,2012,29(3):88-91

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